Il colosso coreano Samsung Electronics ha annunciato la presentazione del primo chip DDR3 DRAM a 4 gigabit, realizzato impiegando il processo produttivo a 50 nanometri. Si tratta di una soluzione importante, soprattutto in ottica datacenter, poiché chip di questo tipo consentono di realizzare moduli di memoria di elevata capacità, permettendo al tempo stesso di contenere il dispendio energetico.

I chip DDR3 da 4Gbit saranno capaci di lavorare ad una tensione di 1,35 volt e saranno caratterizzati da una velocità di 1,6 gigabit al secondo. Diverso il dispendio di energia previsto rispetto alle soluzioni del passato. Considerando, infatti, un modulo da 16GB, con i nuovi chip si è in grado di raggiungere un risparmio di energia del 40% circa rispetto a moduli realizzati con i chip a 2Gbit.

I chip di memoria DDR3 da 4 gigabit possono essere, inoltre, impiegati per la realizzazione di moduli RDIMM da 16GB per sistemi server, moduli unbuffered DIMM da 8GB per workstation e sistemi PC tradizionali oppure in moduli SODIMM da 8GB per sistemi notebook. Impiegando inoltre la tecnologia di packaging dual-die sarà possibile realizzare anche moduli fino a 32GB complessivi, offrendo di fatto soluzioni con il doppio della capienza rispetto ai moduli di memoria realizzati con chip da 2 gigabit. Nulla si sa ancora circa i tempi di produzione dei nuovi chip.